TI - بی PT - JOURNAL ARTICLE TA - jsci JN - jsci VO - 18 VI - 52 IP - 52 4099 - http://jsci.khu.ac.ir/article-1-1127-fa.html 4100 - http://jsci.khu.ac.ir/article-1-1127-fa.pdf SO - jsci 52 AB  - در این مقاله اندازه‌گیری‌های طیف نگاری در محدوده فرکانس KHz 10 تا MHz 4 در دماهای متفاوت برای احساسگرهای نیمه‌رسانا و لایه نازک Au/ClMgPc/Au گزارش شده است. تغییرات رسانائی الکتریکی(a.c) به‌دست آمده با فرکانس زاویه‌ای به صورت تابع تغییر می‌کند. توان n در فرکانس‌های بالا با تقریب خوبی برابر یک است. اندازه‌گیری‌ها در این تجربه مکانیزم رسانائی الکتریکی در دماهای پائین و فرکانس‌های بالا در این لایه نازک نیمه‌رسانا از مدل هوپینگ(Hopping) پیروی می‌کند. تغییرات گاف انرژی (فاصله نوار رسانش و ظرفیت) به صورت تابعی از درجه حرارت و فرکانس مورد مطالعه قرار گرفته است. توزیع نمائی ترازهای انرژی تحت عنوان ناخالصی سطوح و همچنین تراز انرژی با انرژی 005/0 08/0 در این تحقیق شناسائی شده است. ظرفیت خازن Au/ClMgPc/Au و اطلاعات مربوط به ضریب اتلاف در قالب مُدل گاسوامی( )]10[ در این تحقیق مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. CP - IRAN IN - LG - eng PB - jsci PG - 0 PT - YR - 2003