دوره 9، شماره 2 - ( 3-1388 )                   جلد 9 شماره 2 صفحات 402-395 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


چکیده:   (3668 مشاهده)
این مقاله گزارشی از محاسبه و اندازه‌گیری جریان‌های نشتی فتودیود InSb از نوع p+-n ساخته شده به روش Mesa است. محاسبات و اندازه‌گیری جریان‌های مختلف نشتی مؤثر در دیود InSb همراه با تغییرات آن با توجه به بایاس اعمالی نشان می‌‌دهند که در بایاس‌های معکوس نسبتاً کم (تا حدودmV 300) جریان‌های G-R و شنت غالب هستند. اما در ولتاژهای معکوس بالاتر، جریان تونل‌زنی غالب می‌‌شود. در این مقاله رابطه پارامترهای قطعه با میزان جریان نشتی بررسی شده است و با ساخت یک دیود p+-n با کیفیت بالا، به بررسی موارد فوق پرداخته شده است.
متن کامل [PDF 203 kb]   (1166 دریافت)    
نوع مطالعه: علمی پژوهشی بنیادی |
انتشار: 1389/7/23

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.