[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: دوره 9، شماره 2 - ( 3-1388 ) ::
جلد 9 شماره 2 صفحات 387-394 برگشت به فهرست نسخه ها
بررسی مکانیسم هدایت الکتریکی قطعات لایه نازک ساندویچی فتالوسیانین مس
چکیده:   (1893 مشاهده)
در این پژوهش اندازه‌گیری‌هایac بر روی لایه‌های نازک فتالوسیانین مسCuPc با الکترود‌های آلمینیومی در محدوده ی فرکانس‌های 102 تا 105 هرتز و درفاصله دمایی 300 تا420 درجه کلوین بررسی شده است. مقدار ظرفیت وعامل اتلاف با افزایش فرکانس کاهش می‌یابند و ظرفیت با افزایش دما افزایش پیدا می‌کند. نتایج نشان می‌دهند که غالب شدن مدل‌های جهشی با برد متغیر(VRH) وتئوری نواری در مکانیسم رسانش وابسته به شرایط اعمال شده است. مشاهده شد که در فرکانس‌های پایین و درجه حرارت‌های بالا مکانیسم هدایت از نوع نواری، و در فرکانس‌های بالا و درجه حرارت‌های پایین از نوع جهشی با برد متغیر است. مقدار گاف انرژی CuPc با استفاده از اندازه‌گیری‌های dc تعیین شده است.
واژه‌های کلیدی: لایه نازک ساندویچی Al CuPe Al، مکانیسم هدایت الکتریکی، گاف انرژی
متن کامل [PDF 274 kb]   (564 دریافت)    
نوع مطالعه: علمی پژوهشی کاربردی |
ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA code


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Investigatino of Electrical Conduction Mechanism of Copper Phthalocyanine Thin Film Sandwich Devices (Al/CuPc/Al). Materials & Energy. 2010; 9 (2) :387-394
URL: http://jsci.khu.ac.ir/article-1-1338-fa.html

بررسی مکانیسم هدایت الکتریکی قطعات لایه نازک ساندویچی فتالوسیانین مس. مواد و انرژی. 1388; 9 (2) :387-394

URL: http://jsci.khu.ac.ir/article-1-1338-fa.html



دوره 9، شماره 2 - ( 3-1388 ) برگشت به فهرست نسخه ها
نشریه علوم دانشگاه خوارزمی Quarterly Journal of Science  Kharazmi University