TI - Porous Silicon as oxygen sensor PT - JOURNAL ARTICLE TA - jsci JN - jsci VO - 18 VI - 49 IP - 49 4099 - http://jsci.khu.ac.ir/article-1-1170-fa.html 4100 - http://jsci.khu.ac.ir/article-1-1170-fa.pdf SO - jsci 49 AB  - در این مقاله نمونه‌های مختلفی از سیلیسیم نوع p به روش آنودی‌سازی الکتروشیمیایی در محلول اسید فلوریدریک (HF) متخلخل شد. معلوم گردید که بسته به مقدار غلظت HF چگالی جریان آنودی سازی و زمان سونش میزان متخلخل برروی سیلیسیم متفاوت بود. سپس یک اتصال اهمی آلومینیوم بر روی یک طرف سیلیسیم نوع p (طرف غیرمتخلخل) و یک اتصال از طلا بر روی طرف متخلخل آن ساخته شد. این نمونه‌ها به عنوان یک حس‌گر مورد استفاده قرار گرفت. برای مشخصهI-V نمونه‌های مختلف رسم شد. نتایج تجربی مبین آن است که مشخصهI-V کاملاً به جریان اکسیژن حساس است. به همین سبب از این خاصیت می‌توان برای ساخت حس‌گر گازی استفاده کرد. CP - IRAN IN - LG - eng PB - jsci PG - 471 PT - YR - 2006