[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: دوره 9، شماره 2 - ( 3-1388 ) ::
جلد 9 شماره 2 صفحات 395-402 برگشت به فهرست نسخه ها
بررسی عوامل مؤثر در جریان تاریک آشکارساز دیودیمادون قرمز InSb
چکیده:   (1551 مشاهده)
این مقاله گزارشی از محاسبه و اندازه‌گیری جریان‌های نشتی فتودیود InSb از نوع p+-n ساخته شده به روش Mesa است. محاسبات و اندازه‌گیری جریان‌های مختلف نشتی مؤثر در دیود InSb همراه با تغییرات آن با توجه به بایاس اعمالی نشان می‌‌دهند که در بایاس‌های معکوس نسبتاً کم (تا حدودmV 300) جریان‌های G-R و شنت غالب هستند. اما در ولتاژهای معکوس بالاتر، جریان تونل‌زنی غالب می‌‌شود. در این مقاله رابطه پارامترهای قطعه با میزان جریان نشتی بررسی شده است و با ساخت یک دیود p+-n با کیفیت بالا، به بررسی موارد فوق پرداخته شده است.
متن کامل [PDF 203 kb]   (495 دریافت)    
نوع مطالعه: علمی پژوهشی بنیادی |
ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

کد امنیتی را در کادر بنویسید >


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Investigation of effective parameters on dark currents of infrared InSb detector. Materials & Energy. 2010; 9 (2) :395-402
URL: http://jsci.khu.ac.ir/article-1-1339-fa.html

بررسی عوامل مؤثر در جریان تاریک آشکارساز دیودیمادون قرمز InSb. مواد و انرژی. 1388; 9 (2) :395-402

URL: http://jsci.khu.ac.ir/article-1-1339-fa.html



دوره 9، شماره 2 - ( 3-1388 ) برگشت به فهرست نسخه ها
نشریه علوم دانشگاه خوارزمی Quarterly Journal of Science  Kharazmi University