[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: دوره 18، شماره 55 - ( شماره 1-صفحات فارسی از 1 تا 67 1381 ) ::
جلد 18 شماره 55 صفحات 1-9 برگشت به فهرست نسخه ها
مقایسه خواص الکتریکی لایه های نازکCIAIP و Cupc
چکیده:   (1201 مشاهده)
در این کار تحقیقاتی مواد آلی CL.AIPC وCuPc که هر دو از نیمه هادیهای نوع p می باشند. با استفاده از روش تبخیر و به کارگیری کوره درجه حرارت سه مرحله ای، تهیه و خالص سازی شده است. خواص الکتریکی مواد ذکر شده در درجه حرارتهای 300 تا k380 مورد بررسی قرار می گیرد و با به کارگیری گاف انرژی CIAPc وCuPc اندازه گیری شده و با یکدیگر مقایسه می شود. در این تحقیق مشخص شده است که CIAPc دارای گاف انرژی کوچکتری در مقایسه با CuPc می باشد. در درجه حرارتهای بالا محاسبه گاف انرژی با اعمال Biass سیستم و معکوس عدد یکسانی را نشان می دهد در صورتیکه در درجه حرارتهای پائین تغییر بسیار جزئی در گاف انرژی مشاهده شده است.
متن کامل [PDF 398 kb]   (649 دریافت)    
ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

کد امنیتی را در کادر بنویسید >


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Comparison of the Electrical Properties of ClAlPc and CuPc thin film Planar Devices. Materials & Energy. 2001; 18 (55) :1-9
URL: http://jsci.khu.ac.ir/article-1-1105-fa.html

مقایسه خواص الکتریکی لایه های نازکCIAIP و Cupc. مواد و انرژی. 1381; 18 (55) :1-9

URL: http://jsci.khu.ac.ir/article-1-1105-fa.html



دوره 18، شماره 55 - ( شماره 1-صفحات فارسی از 1 تا 67 1381 ) برگشت به فهرست نسخه ها
نشریه علوم دانشگاه خوارزمی Quarterly Journal of Science  Kharazmi University